檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "Meng-Lin Tsai".ecommittee (精準) and year="108"
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石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
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目前LED基板使用為藍寶石基板，而氮化鎵與藍寶石基板間存在著高晶格不匹配度，致使氮化鎵薄膜內部產生 109~1010 cm2 之貫穿型差排缺陷，嚴重影響到後續 LED 元件光電性能。圖案藍寶石…
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本論文，對半導體奈米材料研究分為三個部分，分別為InSb 奈米線之金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M…
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本論文研究的奈米材料為二維的GaSe奈米帶。第一部分，為GaSe奈米帶的製備，首先，以原子百分比Ga:Se=55:45配置Ga金屬錠及Se粉末總共5 g接著放入40 cm的石英管內，於抽氣真空的狀態…
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鈣鈦礦量子點由於其特殊的光電特性而受到了基礎研究和商業應用的極大關注。然而，CsPbI3 鈣鈦礦量子點遭受到從立方至正交的相變，降低在實際應用當中的潛力。而在這項研究當中，我們證明通過熱注入法可用不…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…
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自2004年石墨烯被證實能單獨穩定的存在於自然界中，為世人開啟了名為二維材料領域的序幕，而擁有半導體能隙特性的過渡金屬二硫族化物(Transition Metal Dichalcogenides)包…